На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DTC123EET1 | DTC123EET1G | DTC123EETL | DTC123EKAT146 | DTC123EM3T5G | DTC123EMT2L | DTC123ESATP | DTC123EUAT106 | DTC123JET1 | DTC123JET1G | DTC123JETL | DTC123JE-TP | DTC123JKAT146 | DTC123JKA-TP | DTC123JM3T5G | DTC123JMT2L | DTC123JSATP | DTC123JUAT106 | DTC123JUA-TP | DTC123TKAT146 | DTC123YETL | DTC123YKAT146 | DTC123YSATP | DTC123YUAT106 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <300 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >15Ic, Vce = 5mA, 10V | >15Ic, Vce = 5mA, 10V | >20Ic, Vce = 20mA, 5V | >20Ic, Vce = 20mA, 5V | >8Ic, Vce = 5mA, 10V | >20Ic, Vce = 20mA, 5V | >20Ic, Vce = 20mA, 5V | >20Ic, Vce = 20mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >33Ic, Vce = 10mA, 5V | >33Ic, Vce = 10mA, 5V | >33Ic, Vce = 10mA, 5V | >33Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | (не задано) | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | (не задано) | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | 500 нА | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 2.2 кОм | |||||||||||||||||||||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 100 Ом | 47 кОм | 100 Ом | 100 Ом | 47 кОм | 105 Ом | 105 Ом | 105 Ом | 105 Ом | (не задано) | 489 Ом | 489 Ом | 489 Ом | 489 Ом |