DTC114

DTC114, DTC114ECA-TP, DTC114EET1G, DTC114EETL, DTC114EKAT146, DTC114EKA-TP, DTC114EM3T5G, DTC114EMT2L, DTC114ESATP, DTC114EUAT106, DTC114EUA-TP, DTC114GKAT146, DTC114GSATP, DTC114GUAT106, DTC114TCA-TP, DTC114TET1, DTC114TET1G, DTC114TETL, DTC114TE-TP, DTC114TKAT146, DTC114TKA-TP, DTC114TM3T5G, DTC114TMT2L, DTC114TSATP, DTC114TUAT106, DTC114TUA-TP, DTC114WETL, DTC114WKAT146, DTC114WSATP, DTC114WUAT106, DTC114YCA-TP, DTC114YET1, DTC114YET1G, DTC114YETL, DTC114YE-TP, DTC114YKAT146, DTC114YKA-TP, DTC114YM3T5G, DTC114YMT2L, DTC114YSATP, DTC114YUAT106, DTC114YUA-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDTC114ECA-TPDTC114EET1GDTC114EETLDTC114EKAT146DTC114EKA-TPDTC114EM3T5GDTC114EMT2LDTC114ESATPDTC114EUAT106DTC114EUA-TPDTC114GKAT146DTC114GSATPDTC114GUAT106DTC114TCA-TPDTC114TET1DTC114TET1GDTC114TETLDTC114TE-TPDTC114TKAT146DTC114TKA-TPDTC114TM3T5GDTC114TMT2LDTC114TSATPDTC114TUAT106DTC114TUA-TPDTC114WETLDTC114WKAT146DTC114WSATPDTC114WUAT106DTC114YCA-TPDTC114YET1DTC114YET1GDTC114YETLDTC114YE-TPDTC114YKAT146DTC114YKA-TPDTC114YM3T5GDTC114YMT2LDTC114YSATPDTC114YUAT106DTC114YUA-TP
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-723VMT3SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3SOT-323SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3SOT-23SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-723VMT3SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3SOT-323SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3SOT-23SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-723VMT3SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3SOT-323
Производитель
Производитель
Micro Commercial CoON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoRohm SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoRohm SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<50 мА<50 мА<100 мА<100 мА<50 мА<50 мА<50 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<40 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<600 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<600 мВт<150 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<260 мВт<150 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<300 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<600 мВт<150 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>30Ic, Vce = 5mA, 5V>35Ic, Vce = 5mA, 10V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>35Ic, Vce = 5mA, 10V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>160Ic, Vce = 5mA, 10V>160Ic, Vce = 5mA, 10V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>160Ic, Vce = 5mA, 10V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA(не задано)<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA(не задано)<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA(не задано)<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц(не задано)(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц(не задано)(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)500 нА(не задано)(не задано)(не задано)500 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)500 нА500 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)500 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)500 нА500 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)500 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Сопротивление, подключенное к базе
RB
10 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
1 кОм10 кОм1 кОм1 кОм1 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм2.1 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм2.1 кОм2.1 кОм47 кОм47 кОм