На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DTC113ZKAT146 | DTC113ZSATP | DTC113ZUAT106 | DTC113ZUA-TP | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 1 кОм | |||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | |||