На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DTB113EKT146 | DTB113ESTP | DTB113ZKT146 | DTB113ZSTP | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >33Ic, Vce = 50mA, 5V | >33Ic, Vce = 50mA, 5V | >56Ic, Vce = 50mA, 5V | >56Ic, Vce = 50mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 1 кОм | |||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 1 кОм | 1 кОм | 10 кОм | 10 кОм |