DTA144

DTA144, DTA144ECA-TP, DTA144EET1, DTA144EET1G, DTA144EETL, DTA144EE-TP, DTA144EKAT146, DTA144EKA-TP, DTA144EM3T5G, DTA144EMT2L, DTA144ESATP, DTA144EUAT106, DTA144EUA-TP, DTA144GKAT146, DTA144GUAT106, DTA144TETL, DTA144TKAT146, DTA144TM3T5G, DTA144TMT2L, DTA144TSATP, DTA144TT1, DTA144TUAT106, DTA144VKAT146, DTA144VSATP, DTA144WET1, DTA144WET1G, DTA144WETL, DTA144WKAT146, DTA144WM3T5G, DTA144WSATP, DTA144WUAT106

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		DTA144ECA-TP	DTA144EET1	DTA144EET1G	DTA144EETL	DTA144EE-TP	DTA144EKAT146	DTA144EKA-TP	DTA144EM3T5G	DTA144EMT2L	DTA144ESATP	DTA144EUAT106	DTA144EUA-TP	DTA144GKAT146	DTA144GUAT106	DTA144TETL	DTA144TKAT146	DTA144TM3T5G	DTA144TMT2L	DTA144TSATP	DTA144TT1	DTA144TUAT106	DTA144VKAT146	DTA144VSATP	DTA144WET1	DTA144WET1G	DTA144WETL	DTA144WKAT146	DTA144WM3T5G	DTA144WSATP	DTA144WUAT106
Корпус микросхемы	Корпус	SOT-23	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SOT-523	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-70-3, SOT-323-3	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-70-3, SOT-323-3	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-72-3, SPT	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-723	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3
Производитель	Производитель	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<260 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<600 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<2.7 Вт	<200 мВт	<200 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<260 мВт	<300 мВт	<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>120Ic, Vce = 5mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>33Ic, Vce = 5mA, 5V	>33Ic, Vce = 5mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>56Ic, Vce = 5mA, 5V	>56Ic, Vce = 5mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>56Ic, Vce = 5mA, 5V	>56Ic, Vce = 5mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	(не задано)	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<250 МГц	(не задано)	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP Pre-Biased
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	500 нА	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	500 нА	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)
Сопротивление, подключенное к базе	R_B	47 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой	R_E-B	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	47 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	9.8 кОм	9.8 кОм	22 кОм	22 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм