На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DTA124ECA-TP | DTA124EET1G | DTA124EETL | DTA124EE-TP | DTA124EKAT146 | DTA124EKA-TP | DTA124EM3T5G | DTA124EMT2L | DTA124ESATP | DTA124EUAT106 | DTA124EUA-TP | DTA124GKAT146 | DTA124GSATP | DTA124TETL | DTA124TKAT146 | DTA124TMT2L | DTA124TSATP | DTA124TUAT106 | DTA124XETL | DTA124XKAT146 | DTA124XM3T5G | DTA124XMT2L | DTA124XSATP | DTA124XUAT106 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <30 мА | <100 мА | <30 мА | <100 мА | <100 мА | <30 мА | <30 мА | <30 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <50 мА | <50 мА | <100 мА | <50 мА | <50 мА | <50 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <300 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 10V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 10V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500nA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500nA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500nA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500nA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500nA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500nA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500nA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||||||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 10.5 кОм | 10.5 кОм | 47 кОм | 10.5 кОм | 10.5 кОм | 10.5 кОм |