DTA115EET1G

DTA115, DTA115EET1, DTA115EET1G, DTA115EETL, DTA115EKAT146, DTA115EM3T5G, DTA115EMT2L, DTA115ESATP, DTA115EUAT106, DTA115GKAT146, DTA115GUAT106, DTA115TKAT146, DTA115TUAT106

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		DTA115EET1	DTA115EET1G	DTA115EETL	DTA115EKAT146	DTA115EM3T5G	DTA115EMT2L	DTA115ESATP	DTA115EUAT106	DTA115GKAT146	DTA115GUAT106	DTA115TKAT146	DTA115TUAT106
Корпус микросхемы	Корпус	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-70-3, SOT-323-3	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-70-3, SOT-323-3
Производитель	Производитель	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<600 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>35Ic, Vce = 5mA, 10V	>35Ic, Vce = 5mA, 10V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	(не задано)	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA	<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	(не задано)	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP Pre-Biased
Ток отсечки коллектора	I_frc	500 нА	500 нА	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Сопротивление, подключенное к базе	R_B	100 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой	R_E-B	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)