На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DTA115EET1 | DTA115EET1G | DTA115EETL | DTA115EKAT146 | DTA115EM3T5G | DTA115EMT2L | DTA115ESATP | DTA115EUAT106 | DTA115GKAT146 | DTA115GUAT106 | DTA115TKAT146 | DTA115TUAT106 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | (не задано) | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 100 кОм | |||||||||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |