DTA114

DTA114, DTA114ECA-TP, DTA114EET1G, DTA114EETL, DTA114EKAT146, DTA114EKA-TP, DTA114EM3T5G, DTA114EMT2L, DTA114ESATP, DTA114EUAT106, DTA114EUA-TP, DTA114GKAT146, DTA114GSATP, DTA114GUAT106, DTA114TCA-TP, DTA114TET1, DTA114TET1G, DTA114TETL, DTA114TE-TP, DTA114TKAT146, DTA114TKA-TP, DTA114TM3T5G, DTA114TMT2L, DTA114TSATP, DTA114TUAT106, DTA114TUA-TP, DTA114TXV3T1G, DTA114WETL, DTA114WKAT146, DTA114WSATP, DTA114WUAT106, DTA114YET1, DTA114YET1G, DTA114YETL, DTA114YKAT146, DTA114YM3T5G, DTA114YMT2L, DTA114YSATP, DTA114YUAT106

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		DTA114ECA-TP	DTA114EET1G	DTA114EETL	DTA114EKAT146	DTA114EKA-TP	DTA114EM3T5G	DTA114EMT2L	DTA114ESATP	DTA114EUAT106	DTA114EUA-TP	DTA114GKAT146	DTA114GSATP	DTA114GUAT106	DTA114TCA-TP	DTA114TET1	DTA114TET1G	DTA114TETL	DTA114TE-TP	DTA114TKAT146	DTA114TKA-TP	DTA114TM3T5G	DTA114TMT2L	DTA114TSATP	DTA114TUAT106	DTA114TUA-TP	DTA114TXV3T1G	DTA114WETL	DTA114WKAT146	DTA114WSATP	DTA114WUAT106	DTA114YET1	DTA114YET1G	DTA114YETL	DTA114YKAT146	DTA114YM3T5G	DTA114YMT2L	DTA114YSATP	DTA114YUAT106
Корпус микросхемы	Корпус	SOT-23	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SOT-523	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-89-3	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3
Производитель	Производитель	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<100 мА	<100 мА	<50 мА	<50 мА	<100 мА	<100 мА	<50 мА	<50 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<40 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<200 мВт	<300 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<600 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<600 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<260 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>35Ic, Vce = 5mA, 10V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>35Ic, Vce = 5mA, 10V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>24Ic, Vce = 10mA, 5V	>24Ic, Vce = 10mA, 5V	>24Ic, Vce = 10mA, 5V	>24Ic, Vce = 10mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>35Ic, Vce = 5mA, 10V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	(не задано)	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP Pre-Biased
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	500 нА	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Сопротивление, подключенное к базе	R_B	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой	R_E-B	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	4.7 кОм	4.7 кОм	4.7 кОм	4.7 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм