На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DTA113TKAT146 | DTA113ZETL | DTA113ZKAT146 | DTA113ZSATP | DTA113ZUAT106 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <300 мВт | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | <250 МГц | <200 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 1 кОм | ||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | (не задано) | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм |