На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DDTD114EC-7-F | DDTD114EU-7-F | DDTD114GC-7-F | DDTD114GU-7-F | DDTD114TC-7-F | DDTD114TU-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | |||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >56Ic, Vce = 50mA, 5V | >56Ic, Vce = 50mA, 5V | >56Ic, Vce = 50mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 50mA, 5V | >100Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) | (не задано) | 10 кОм | 10 кОм |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 100 кОм | (не задано) | (не задано) |