DDTC142

DDTC142, DDTC142JE-7, DDTC142JE-7-F, DDTC142JU-7, DDTC142JU-7-F, DDTC142TE-7, DDTC142TE-7-F, DDTC142TU-7, DDTC142TU-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTC142JE-7DDTC142JE-7-FDDTC142JU-7DDTC142JU-7-FDDTC142TE-7DDTC142TE-7-FDDTC142TU-7DDTC142TU-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-523SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-523SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц<250 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
470 Ом
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)