DDTC124

DDTC124, DDTC124ECA-7, DDTC124ECA-7-F, DDTC124EE-7-F, DDTC124EKA-7-F, DDTC124EUA-7-F, DDTC124GCA-7, DDTC124GCA-7-F, DDTC124GE-7, DDTC124GE-7-F, DDTC124GKA-7-F, DDTC124GUA-7, DDTC124GUA-7-F, DDTC124TCA-7, DDTC124TCA-7-F, DDTC124TE-7, DDTC124TE-7-F, DDTC124TKA-7-F, DDTC124TUA-7, DDTC124TUA-7-F, DDTC124XCA-7, DDTC124XCA-7-F, DDTC124XE-7, DDTC124XE-7-F, DDTC124XKA-7-F, DDTC124XUA-7, DDTC124XUA-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTC124ECA-7DDTC124ECA-7-FDDTC124EE-7-FDDTC124EKA-7-FDDTC124EUA-7-FDDTC124GCA-7DDTC124GCA-7-FDDTC124GE-7DDTC124GE-7-FDDTC124GKA-7-FDDTC124GUA-7DDTC124GUA-7-FDDTC124TCA-7DDTC124TCA-7-FDDTC124TE-7DDTC124TE-7-FDDTC124TKA-7-FDDTC124TUA-7DDTC124TUA-7-FDDTC124XCA-7DDTC124XCA-7-FDDTC124XE-7DDTC124XE-7-FDDTC124XKA-7-FDDTC124XUA-7DDTC124XUA-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<30 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм