DDTC123

DDTC123, DDTC123ECA-7, DDTC123ECA-7-F, DDTC123EE-7, DDTC123EE-7-F, DDTC123EKA-7-F, DDTC123EUA-7, DDTC123EUA-7-F, DDTC123JCA-7, DDTC123JCA-7-F, DDTC123JE-7, DDTC123JE-7-F, DDTC123JKA-7-F, DDTC123JLP-7, DDTC123JUA-7, DDTC123JUA-7-F, DDTC123TCA-7, DDTC123TCA-7-F, DDTC123TE-7, DDTC123TE-7-F, DDTC123TKA-7-F, DDTC123TUA-7, DDTC123TUA-7-F, DDTC123YCA-7, DDTC123YCA-7-F, DDTC123YE-7, DDTC123YE-7-F, DDTC123YKA-7-F, DDTC123YUA-7, DDTC123YUA-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTC123ECA-7DDTC123ECA-7-FDDTC123EE-7DDTC123EE-7-FDDTC123EKA-7-FDDTC123EUA-7DDTC123EUA-7-FDDTC123JCA-7DDTC123JCA-7-FDDTC123JE-7DDTC123JE-7-FDDTC123JKA-7-FDDTC123JLP-7DDTC123JUA-7DDTC123JUA-7-FDDTC123TCA-7DDTC123TCA-7-FDDTC123TE-7DDTC123TE-7-FDDTC123TKA-7-FDDTC123TUA-7DDTC123TUA-7-FDDTC123YCA-7DDTC123YCA-7-FDDTC123YE-7DDTC123YE-7-FDDTC123YKA-7-FDDTC123YUA-7DDTC123YUA-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-2363-DFNSC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<250 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>125Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedPNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
2.2 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм