DDTC115ECA-7

DDTC115, DDTC115ECA-7, DDTC115ECA-7-F, DDTC115EE-7, DDTC115EE-7-F, DDTC115EKA-7-F, DDTC115EUA-7, DDTC115EUA-7-F, DDTC115GCA-7, DDTC115GCA-7-F, DDTC115GE-7, DDTC115GE-7-F, DDTC115GKA-7-F, DDTC115GUA-7, DDTC115GUA-7-F, DDTC115TCA-7, DDTC115TCA-7-F, DDTC115TE-7, DDTC115TE-7-F, DDTC115TKA-7-F, DDTC115TUA-7, DDTC115TUA-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTC115ECA-7DDTC115ECA-7-FDDTC115EE-7DDTC115EE-7-FDDTC115EKA-7-FDDTC115EUA-7DDTC115EUA-7-FDDTC115GCA-7DDTC115GCA-7-FDDTC115GE-7DDTC115GE-7-FDDTC115GKA-7-FDDTC115GUA-7DDTC115GUA-7-FDDTC115TCA-7DDTC115TCA-7-FDDTC115TE-7DDTC115TE-7-FDDTC115TKA-7-FDDTC115TUA-7DDTC115TUA-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<20 мА<20 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>82Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
100 кОм100 кОм(не задано)(не задано)100 кОм100 кОм100 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм100 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)