DDTB122JU-7-F

DDTB122, DDTB122JC-7-F, DDTB122JU-7-F, DDTB122LC-7, DDTB122LC-7-F, DDTB122LU-7, DDTB122LU-7-F, DDTB122TC-7, DDTB122TC-7-F, DDTB122TU-7, DDTB122TU-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTB122JC-7-FDDTB122JU-7-FDDTB122LC-7DDTB122LC-7-FDDTB122LU-7DDTB122LU-7-FDDTB122TC-7DDTB122TC-7-FDDTB122TU-7DDTB122TU-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-323SOT-323SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>47Ic, Vce = 50mA, 5V>47Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
220 Ом
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
4.7 кОм4.7 кОм(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)