DDTA143ECA-7

DDTA143, DDTA143ECA-7, DDTA143ECA-7-F, DDTA143EE-7-F, DDTA143EKA-7-F, DDTA143EUA-7, DDTA143EUA-7-F, DDTA143FCA-7-F, DDTA143FE-7, DDTA143FE-7-F, DDTA143FKA-7-F, DDTA143FUA-7, DDTA143FUA-7-F, DDTA143TCA-7, DDTA143TCA-7-F, DDTA143TE-7, DDTA143TE-7-F, DDTA143TKA-7-F, DDTA143TUA-7, DDTA143TUA-7-F, DDTA143XCA-7, DDTA143XCA-7-F, DDTA143XE-7, DDTA143XE-7-F, DDTA143XKA-7-F, DDTA143XUA-7, DDTA143XUA-7-F, DDTA143ZCA-7, DDTA143ZCA-7-F, DDTA143ZE-7, DDTA143ZE-7-F, DDTA143ZKA-7-F, DDTA143ZUA-7, DDTA143ZUA-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTA143ECA-7DDTA143ECA-7-FDDTA143EE-7-FDDTA143EKA-7-FDDTA143EUA-7DDTA143EUA-7-FDDTA143FCA-7-FDDTA143FE-7DDTA143FE-7-FDDTA143FKA-7-FDDTA143FUA-7DDTA143FUA-7-FDDTA143TCA-7DDTA143TCA-7-FDDTA143TE-7DDTA143TE-7-FDDTA143TKA-7-FDDTA143TUA-7DDTA143TUA-7-FDDTA143XCA-7DDTA143XCA-7-FDDTA143XE-7DDTA143XE-7-FDDTA143XKA-7-FDDTA143XUA-7DDTA143XUA-7-FDDTA143ZCA-7DDTA143ZCA-7-FDDTA143ZE-7DDTA143ZE-7-FDDTA143ZKA-7-FDDTA143ZUA-7DDTA143ZUA-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА(не задано)<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
4.7 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм