DDTA142JE-7

DDTA142, DDTA142JE-7, DDTA142JE-7-F, DDTA142JU-7, DDTA142JU-7-F, DDTA142TE-7, DDTA142TE-7-F, DDTA142TU-7, DDTA142TU-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTA142JE-7DDTA142JE-7-FDDTA142JU-7DDTA142JU-7-FDDTA142TE-7DDTA142TE-7-FDDTA142TU-7DDTA142TU-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-523SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-523SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
470 Ом
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)