DDTA124ECA-7-F

DDTA124, DDTA124ECA-7, DDTA124ECA-7-F, DDTA124EE-7-F, DDTA124EKA-7-F, DDTA124EUA-7-F, DDTA124GCA-7, DDTA124GCA-7-F, DDTA124GE-7-F, DDTA124GKA-7-F, DDTA124GUA-7, DDTA124GUA-7-F, DDTA124TCA-7, DDTA124TCA-7-F, DDTA124TE-7-F, DDTA124TKA-7-F, DDTA124TUA-7, DDTA124TUA-7-F, DDTA124XCA-7, DDTA124XCA-7-F, DDTA124XE-7-F, DDTA124XKA-7-F, DDTA124XUA-7, DDTA124XUA-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTA124ECA-7DDTA124ECA-7-FDDTA124EE-7-FDDTA124EKA-7-FDDTA124EUA-7-FDDTA124GCA-7DDTA124GCA-7-FDDTA124GE-7-FDDTA124GKA-7-FDDTA124GUA-7DDTA124GUA-7-FDDTA124TCA-7DDTA124TCA-7-FDDTA124TE-7-FDDTA124TKA-7-FDDTA124TUA-7DDTA124TUA-7-FDDTA124XCA-7DDTA124XCA-7-FDDTA124XE-7-FDDTA124XKA-7-FDDTA124XUA-7DDTA124XUA-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<30 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм