DDTA123ECA-7-F

DDTA123, DDTA123ECA-7, DDTA123ECA-7-F, DDTA123EE-7-F, DDTA123EKA-7-F, DDTA123EUA-7, DDTA123EUA-7-F, DDTA123JCA-7, DDTA123JCA-7-F, DDTA123JE-7-F, DDTA123JKA-7-F, DDTA123JUA-7, DDTA123JUA-7-F, DDTA123TCA-7, DDTA123TCA-7-F, DDTA123TE-7-F, DDTA123TKA-7-F, DDTA123TUA-7, DDTA123TUA-7-F, DDTA123YCA-7, DDTA123YCA-7-F, DDTA123YE-7-F, DDTA123YKA-7-F, DDTA123YUA-7, DDTA123YUA-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTA123ECA-7DDTA123ECA-7-FDDTA123EE-7-FDDTA123EKA-7-FDDTA123EUA-7DDTA123EUA-7-FDDTA123JCA-7DDTA123JCA-7-FDDTA123JE-7-FDDTA123JKA-7-FDDTA123JUA-7DDTA123JUA-7-FDDTA123TCA-7DDTA123TCA-7-FDDTA123TE-7-FDDTA123TKA-7-FDDTA123TUA-7DDTA123TUA-7-FDDTA123YCA-7DDTA123YCA-7-FDDTA123YE-7-FDDTA123YKA-7-FDDTA123YUA-7DDTA123YUA-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
2.2 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм