На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DDTA115ECA-7 | DDTA115ECA-7-F | DDTA115EE-7-F | DDTA115EKA-7-F | DDTA115EUA-7 | DDTA115EUA-7-F | DDTA115GCA-7 | DDTA115GCA-7-F | DDTA115GE-7-F | DDTA115GKA-7-F | DDTA115GUA-7 | DDTA115GUA-7-F | DDTA115TCA-7 | DDTA115TCA-7-F | DDTA115TE-7-F | DDTA115TKA-7-F | DDTA115TUA-7 | DDTA115TUA-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |||||||||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <20 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >82Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 1V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |||||||||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||||||||||||||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |