DDTA114ECA-7-F

DDTA114, DDTA114ECA-7, DDTA114ECA-7-F, DDTA114EE-7-F, DDTA114EKA-7-F, DDTA114EUA-7, DDTA114EUA-7-F, DDTA114GCA-7, DDTA114GCA-7-F, DDTA114GE-7-F, DDTA114GKA-7-F, DDTA114GUA-7, DDTA114GUA-7-F, DDTA114TCA-7, DDTA114TCA-7-F, DDTA114TE-7-F, DDTA114TKA-7-F, DDTA114TUA-7, DDTA114TUA-7-F, DDTA114WCA-7, DDTA114WCA-7-F, DDTA114WE-7-F, DDTA114WKA-7-F, DDTA114WUA-7, DDTA114WUA-7-F, DDTA114YCA-7, DDTA114YCA-7-F, DDTA114YE-7-F, DDTA114YKA-7-F, DDTA114YLP-7, DDTA114YUA-7, DDTA114YUA-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTA114ECA-7DDTA114ECA-7-FDDTA114EE-7-FDDTA114EKA-7-FDDTA114EUA-7DDTA114EUA-7-FDDTA114GCA-7DDTA114GCA-7-FDDTA114GE-7-FDDTA114GKA-7-FDDTA114GUA-7DDTA114GUA-7-FDDTA114TCA-7DDTA114TCA-7-FDDTA114TE-7-FDDTA114TKA-7-FDDTA114TUA-7DDTA114TUA-7-FDDTA114WCA-7DDTA114WCA-7-FDDTA114WE-7-FDDTA114WKA-7-FDDTA114WUA-7DDTA114WUA-7-FDDTA114YCA-7DDTA114YCA-7-FDDTA114YE-7-FDDTA114YKA-7-FDDTA114YLP-7DDTA114YUA-7DDTA114YUA-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-2363-DFNSC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<50 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<250 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>24Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<250 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)500 нА(не задано)(не задано)
Сопротивление, подключенное к базе
RB
10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм