DDTA113TCA-7

DDTA113, DDTA113TCA-7, DDTA113TCA-7-F, DDTA113TE-7, DDTA113TE-7-F, DDTA113TKA-7-F, DDTA113TUA-7, DDTA113TUA-7-F, DDTA113ZCA-7, DDTA113ZCA-7-F, DDTA113ZE-7-F, DDTA113ZKA-7-F, DDTA113ZUA-7, DDTA113ZUA-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDTA113TCA-7DDTA113TCA-7-FDDTA113TE-7DDTA113TE-7-FDDTA113TKA-7-FDDTA113TUA-7DDTA113TUA-7-FDDTA113ZCA-7DDTA113ZCA-7-FDDTA113ZE-7-FDDTA113ZKA-7-FDDTA113ZUA-7DDTA113ZUA-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
1 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм