На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCR555E6327 | BCR555E6433 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <330 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 50mA, 5V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 2.2 кОм | |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | |