На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCR191E6327 | BCR191FE6327 | BCR191L3E6327 | BCR191TE6327 | BCR191WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | TSFP-3 | TSLP-3-4 | SC-75 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >50Ic, Vce = 5mA, 5V | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 22 кОм | ||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 22 кОм | ||||