На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCR164FE6327 | BCR164L3E6327 | BCR164TE6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TSFP-3 | TSLP-3-4 | SC-75 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 5mA, 5V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <160 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 4.7 кОм | ||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | ||