BCR148E6327

BCR148, BCR148B6327, BCR148E6327, BCR148E6433, BCR148FB6327, BCR148FE6327, BCR148L3E6327, BCR148TE6327, BCR148WE6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBCR148B6327BCR148E6327BCR148E6433BCR148FB6327BCR148FE6327BCR148L3E6327BCR148TE6327BCR148WE6327
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23SOT-23SOT-23TSFP-3TSFP-3TSLP-3-4SC-75SOT-323
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<70 мА<70 мА<100 мА<70 мА<70 мА<70 мА<70 мА<70 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>70Ic, Vce = 5mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Сопротивление, подключенное к базе
RB
47 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
47 кОм