На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCR116E6327 | BCR116E6433 | BCR116FE6327 | BCR116L3E6327 | BCR116TE6327 | BCR116WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SOT-23 | TSFP-3 | TSFP-3 | SC-75 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 5mA, 5V | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 4.7 кОм | |||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 47 кОм | |||||