На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ZXTDE4M832TA | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-MLP |
Производитель | Производитель | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <2.45 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >300Ic, Vce = 200mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 50mA, 1.5A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <160 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN+PNP |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <25 нА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |