ZXTD4591E6TA

ZXTD4591E6, ZXTD4591E6TA, ZXTD4591E6TC

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXTD4591E6TAZXTD4591E6TC
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-6
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 500mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 100mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN+PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2