ZDT6702TC

ZDT6702, ZDT6702TA, ZDT6702TC

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZDT6702TAZDT6702TC
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-223 (8 leads), SM8
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1.75 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<2.75 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>5000Ic, Vce = 500mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.28 ВIb, Ic = 2mA, 1.75A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<140 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN+PNP Darlington
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<500 нА
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2