UMZ1NT1G

UMZ1, UMZ1NT1, UMZ1NT1G, UMZ1NTR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрUMZ1NT1UMZ1NT1GUMZ1NTR
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorRohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА<200 мА<150 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<385 мВт<385 мВт<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 2mA, 6V>200Ic, Vce = 2mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA(не задано)
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<114 МГц<114 МГц(не задано)
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN+PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<2 мкА<1 мА(не задано)
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2