На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TPC6701(TE85L,F) | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-3T1D |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <660 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >400Ic, Vce = 100mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <170 мВIb, Ic = 6mA, 300mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |