На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STS05DTP03 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5A, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 250mA, 5A |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN+PNP |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мкА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |