PMP5501G,115

PMP5501, PMP5501G,115, PMP5501G,135, PMP5501V,115, PMP5501Y,115, PMP5501Y,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPMP5501G,115PMP5501G,135PMP5501V,115PMP5501Y,115PMP5501Y,135
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOPSC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOPSS Mini-6 (SOT-666)SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<175 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2