На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBSS4160DPN,115 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-74-6 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <420 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >250.2Ic, Vce = 1mA, 5V |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN+PNP |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |