На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NST847BDP6T5G | NST847BPDP6T5G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-963 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <350 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200.22Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | (не задано) |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | NPN+PNP |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |