На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NST3906DP6T5G | NST3906DXV6T1 | NST3906DXV6T1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <350 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >60Ic, Vce = 100µA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||