NST3904DXV6T1G

NST3904, NST3904DP6T5G, NST3904DXV6T1G, NST3904DXV6T5, NST3904DXV6T5G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNST3904DP6T5GNST3904DXV6T1GNST3904DXV6T5NST3904DXV6T5G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-963SOT-563SOT-563SOT-563
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 100µA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 100µA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2