На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSS40300DDR2G | NSS40300MDR2G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <3 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <783 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >220Ic, Vce = 500mA, 2V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <170 мВIb, Ic = 10mA, 1A | <130 мВIb, Ic = 10mA, 1A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |