На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MP4015(Q) | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 10-SIP |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <4 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 1A, 4V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.4 ВIb, Ic = 4mA, 1A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <7 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <10 мкА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 4 |