MMDT3906-7

MMDT3906, MMDT3906-7, MMDT3906-7-F, MMDT3906-TP, MMDT3906V-7, MMDT3906VC-7, MMDT3906V-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMDT3906-7MMDT3906-7-FMMDT3906-TPMMDT3906V-7MMDT3906VC-7MMDT3906V-TP
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-563SOT-563SOT-563
Производитель
Производитель
Diodes IncDiodes IncMicro Commercial CoDiodes IncDiodes IncMicro Commercial Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2