MMDT2222

MMDT2222, MMDT2222A-7, MMDT2222A-7-F, MMDT2222A-TP, MMDT2222V-7, MMDT2222V-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMDT2222A-7MMDT2222A-7-FMMDT2222A-TPMMDT2222V-7MMDT2222V-TP
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-563SOT-563
Производитель
Производитель
Diodes IncDiodes IncMicro Commercial CoDiodes IncMicro Commercial Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<300 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2