На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MBT6429DW1T1 | MBT6429DW1T1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | <45 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >500Ic, Vce = 10µA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | (не задано) | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | (не задано) | <700 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <100 нА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |