На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MBT3904DW1T1 | MBT3904DW1T1G | MBT3904DW1T3G | MBT3904DW2T1 | MBT3904DW2T1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | ||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | ||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||||