MAT03EH

MAT03, MAT03EH, MAT03EHZ, MAT03FH, MAT03FHZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMAT03EHMAT03EHZMAT03FHMAT03FHZ
Корпус микросхемы
Корпус
TO-78-6 Metal Can
Производитель
Производитель
Analog Devices
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<20 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<36 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт(не задано)<500 мВт
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<100 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<190 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2