MAT02EHZ

MAT02, MAT02EH, MAT02EHZ, MAT02FH, MAT02FHZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMAT02EHMAT02EHZMAT02FHMAT02FHZ
Корпус микросхемы
Корпус
TO-78-6 Metal Can
Производитель
Производитель
Analog Devices
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<20 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
(не задано)<1.8 Вт(не задано)<1.8 Вт
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц<450 МГц<200 МГц<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)<400 пА
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2