MAT01AH

MAT01, MAT01AH, MAT01AHZ, MAT01GH, MAT01GHZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMAT01AHMAT01AHZMAT01GHMAT01GHZ
Корпус микросхемы
Корпус
TO-78-6 Metal Can
Производитель
Производитель
Analog Devices
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<20 мА<25 мА<30 мА<25 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
(не задано)<1.8 Вт<500 мВт<500 мВт
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
(не задано)<200 мВIb, Ic = 100µA, 1mA(не задано)<250 мВIb, Ic = 0.1mA, 1mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<450 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)(не задано)<400 пА<400 пА
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2