На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | LBN150B01-7 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-26 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 10mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 20mA, 200mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN+PNP |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 нА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |