HN1B01FDW1T1

HN1B01FDW1, HN1B01FDW1T1, HN1B01FDW1T1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHN1B01FDW1T1HN1B01FDW1T1G
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-6
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<380 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 2mA, 6V
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN+PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мА
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2